MBE生產需要一個液氮儲罐(1)，其容量應根據MBE系統的液氮消耗量和液氮輸送頻率來確定。通常，小型研究MBE系統消耗50-250L/天，而大型MBE系統可能需要4000L/天。強烈建議使用配備真空隔熱抽出閥(2)的低壓(2至3巴)散裝儲罐。對于管道工程(3)，好使用半柔性或剛性真空夾套管，以盡量減少液氮的熱損失，這大大增加了MBE生產的運營成本。管道系統可以是靜態真空或動態真空，需要一個小型專用真空泵來保持真空完整性。為確保向MBE低溫板輸送純液氮，建議配備相分離器(4)和Triax軟管(5)。液氮系統可以顯著節省成本。
液氮閉環循環系統工作
該系統適用于世界上許多MBE系統，如Riber、DCA和Veeco。它已被許多客戶廣泛用于化合物半導體器件開發，如紅外、光通信等。我們的系統有靜態真空或動態真空隔熱兩種。一個完整的閉環系統由帶多個出口的相分離器、三通軟管、模塊化配件和用于液氮流量控制的真空夾套閥組成隔離。
MBE的閉環液氮循環系統始終保持在大氣壓下。控制器允許相分離器以閉環方式自調節MBE的液氮供應流量，使低溫板在不同操作條件下保持充滿液氮。
閉環液氮系統具有以下優點：
?液氮節省高達30%
?高效低溫板冷卻至-196°C
?易于液氮操作-根據MBE系統運行各個階段的熱負荷自動調節液氮流量
什么是MBE？
分子束外延(MBE)是一種基于超高真空(UHV)的技術，用于生產具有單層控制的高質量外延結構。
自20世紀70年代作為生長高純度半導體薄膜的工具引入以來，MBE已經發展成為生產金屬、絕緣體和超導體外延層廣泛使用的技術之一。如今，MBE是化合物半導體行業不可或缺的工具，無論是在研究還是生產層面。
III-V族半導體的典型MBE生長速率約為1um/小時，這是在~10e-6torr的III族分壓下獲得的。晶體中的原子密度約為10e22.cm-3，這意味著要將雜質濃度降低到10e15.cm-3以下，雜質分壓必須降低到~10e-12Torr以下。
液氮是分子束外延成功運行的重要組成部分。MBE系統依賴于液態N2低溫板，其內部圍繞主室壁和源法蘭構建。由于分子束外延是一種冷壁技術，因此使用低溫板來防止分子從熱滲出細胞以外的部位再次蒸發。
此外，它們還提供了不同電池之間的熱隔離，以及剩余氣體的額外泵送。在晶片生長過程中，低溫板內的低蒸氣壓液氮供應對于確保雜質分壓始終保持在10e12托以下至關重要。
